近期，进化半导体（深圳）有限公司的氧化镓技能结构取患上阶段性进展，该公司制备的氧化镓厚膜同质外延片厚度为40μm，利用自产氧化镓衬底，取自进化半导体怪异的“无铱工艺”氧化镓晶体，晶片尺寸为2英寸，晶面为(100)偏6度，利用自立开发的科研级HVPE外延装备，撑持2~4英寸衬底。

进化半导体先容，氧化镓（100）面晶体易生长易加工，可以制造年夜尺寸晶片，可是因没法做外延和芯片而无现实运用价值，(010)及(001)晶面是今朝用在芯片制造的重要晶面，可是晶片有解理面，较易于外貌加工以和芯片制程及封装环节中破碎，影响财产链多个环节的良率及成本。(100)偏6度面的晶片无解理面，制程适配性更好。

此外，相较在MOCVD外延方式，HVPE一方面利用的气源不燃不爆，安全性很是高；一方面装备及所用气源都更为廉价，研发及财产化的投入低；一方脸孔前HVPE是独一的贸易化，且独一能制备跨越10μm高品质厚膜的方式。

这是海内初次报导跨越20μm厚度的氧化镓同质外延结果，进化半导体将继承潜心研发，撑持氧化镓财产的成长及完美。

资料显示，氧化镓是第四代半导体范畴代表性质料之一，能蒙受超高电压、成本低，于电动汽车、轨道交通、5G/6G基站、智能电网、航空航天等体系中运用广泛。最近几年，海内氧化镓技能频传新冲破，稍早以前，富加镓业公布冲破6英寸VB法氧化镓单晶制备技能，该公司使用垂直布里奇曼法（VB法）于海内初次乐成制备出6英寸氧化镓单晶晶锭，晶体等径高度达30妹妹，为功率器件所需导电性质料，可满意完备6英寸氧化镓导电型衬底的加工需求。

此外，中国科学院姑苏纳米技能与纳米仿生研究所纳米加工平台于氧化镓（β-Ga₂O₃）功率器件范畴取患上两项主要冲破：初次基在纳米加工平台开发工艺制备了多鳍通道欧姆接触阳极β-Ga₂O₃二极管（MFCD），实现超低泄电的千伏级击穿电压；同时研制出高机能加强型垂直β-Ga₂O₃多鳍晶体管，创下4.3mΩ·cm²最低比导通电阻纪录。两项结果可为高温高压运用场景提供全新的解决方案。